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DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平，購(gòu)買勢(shì)頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢(shì)最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器

  • Bourns 開(kāi)發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺(tái)式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實(shí)現(xiàn)低磁場(chǎng)輻射和納米晶磁芯，以支持高電
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動(dòng)

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價(jià)和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與合約市場(chǎng)的情況類似，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲，因?yàn)槟K公司急于增加庫(kù)存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
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Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術(shù)升級(jí)

  • 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺(tái)積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對(duì)于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應(yīng)企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線，擁有全新的可擴(kuò)展、可調(diào)整的高性能架構(gòu)。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的多家領(lǐng)先客戶建立合作
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DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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瀾起科技Q1利潤(rùn)翻倍！DDR5市占全球第一

  • 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報(bào)，2025年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.22億元，同比增長(zhǎng)65.78%；凈利潤(rùn)5.25億元，同比增幅達(dá)135.14%；扣非后凈利潤(rùn)為5.03億元，同比增長(zhǎng)128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺(tái)兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入為11.39億元，同比增長(zhǎng)63.92%；津逮?服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線銷售收入為0.8億元，同比增長(zhǎng)107.38%。對(duì)于業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場(chǎng)成長(zhǎng)強(qiáng)勁，高效運(yùn)算（H
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗(yàn)證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新

  • 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證，是基于CXL* 2.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長(zhǎng)了50%，寬帶擴(kuò)展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心時(shí)所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗(yàn)證，公司正在與其他客戶開(kāi)展128GB產(chǎn)品的驗(yàn)證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級(jí)（1b）32Gb
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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運(yùn)行速度高達(dá)每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設(shè)計(jì)并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

  •  10 月 30 日消息，芝奇國(guó)際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績(jī)，通過(guò)液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績(jī)已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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美光推出內(nèi)置時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的超高速DDR5內(nèi)存系列新品，為AI PC的發(fā)展注入動(dòng)力

  • ?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內(nèi)置時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的全新類型內(nèi)存，即?Crucial??英睿達(dá)??DDR5?時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器無(wú)緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊?(CUDIMM)?和時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器小型雙列直插式內(nèi)存模塊?(CSODIMM)，并已開(kāi)始批量出貨。這兩款全新內(nèi)存均符合?JEDEC?標(biāo)準(zhǔn)，運(yùn)行速度高達(dá)?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
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消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開(kāi)發(fā)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展。”公司以1b DRAM
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最新 PC 游戲中的 DDR5 與 DDR4

  • 隨著游戲要求越來(lái)越高，DDR4 和 DDR5 內(nèi)存之間的差距不斷擴(kuò)大。
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DDR5  

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲(chǔ)器迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī)，而與此同時(shí)，在服務(wù)器需求推動(dòng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開(kāi)始登上“歷史舞臺(tái)”。當(dāng)前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動(dòng)服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)  HBM  MRDIMM  MCRDIMM  

美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對(duì)日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對(duì)于需要每個(gè)?DIMM?插槽內(nèi)存超過(guò)?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計(jì)算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的?TSV RDI
  • 關(guān)鍵字： 美光  MRDIMM  低延遲主存  數(shù)據(jù)中心  
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